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碳化硅场效应晶体管
SiC MOSFET具有更低的导通电阻，更高的工作频率，开关损耗大幅降低，SiC MOSFET与Si IGBT器件相比可降低开关损耗70%，高温特性好、稳定性高。
| 型号 | 漏极电压（VDS） | 导通电阻（RDS（on）） | 电流（ID） | 封装形式 | 规格书下载 |
|---|---|---|---|---|---|
| CGE1M120030 | 1200V | 30mΩ | 80A | TO-247-3 |  |
| CGE1M120060 | 1200V | 60mΩ | 44A | TO-247-3 | |